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CMP抛光
2025-10-22

      



    

为实现材料纳米级表面精度的重要工艺,需平衡 “化学腐蚀” 与 “机械研磨” 的协同作用,以满足器件对表面粗糙度(常需达亚纳米级)、亚表面损伤(控制在微米级内)的严苛要求。北京艾姆希半导体科技有限公司依托年硬脆材料加工技术积淀,研发系列化 CMP 抛光设备与配套工艺,为本土企业与科研机构提供适配多品类精密材料的低损伤、高效率抛光解决方案。


    CMP 抛光中 “化学作用” 与 “机械作用” 的平衡是加工关键,需避免过度腐蚀或机械损伤。北京艾姆希 CMP 设备搭载自主研发的数控系统,集成多重高精度传感模块:恒压伺服系统可实现研磨压力 0-3.5kg 可调,最小调节精度 ±0.05kg,保障压力均匀作用于材料表面;温控系统将抛光区域温度稳定在 20-35℃(不同材料可定制),减少温度波动对化学反应速率的影响;磨料供给系统通过流量传感器精准控制研磨液供给量(精度 ±1mL/min),维持磨料浓度均匀性。针对不同材料,设备可搭配定制化 CMP 研磨液(如金刚石研磨液、氧化铈抛光液等),结合精密抛光技术,可实现表面粗糙度 Ra≤1Å、亚表面损伤层深度 < 500nm 的加工效果,符合半导体芯片、高端光电器件的制造相关标准要求。


    针对半导体、光电领域对洁净度的高要求,CMP 设备接触材料的部件采用高纯陶瓷、防腐不锈钢材质,减少加工过程中金属离子、杂质污染;工作腔采用密封式设计,配合负压除尘与研磨液回收系统,降低粉尘扩散与废液污染,适配 Class 1000 洁净车间环境。同时,设备采用模块化布局,研磨头、抛光垫、磨料供给系统等核心部件可独立拆卸,易损耗件(如抛光垫、密封圈)更换流程简化,操作人员经基础培训即可完成,设备停机维护时间可控制在 2 小时以内。从技术研发到场景落地,北京艾姆希凭借 CMP 抛光技术的针对性与服务的及时性,为本土精密材料加工提供支撑。未来,公司将持续融合全球技术与本土需求,优化 CMP 设备的工艺精度与效率,助力国内半导体、光电产业发展。


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