CDP400

• 主机及所有的零备件均采用高防腐蚀材料，整机防腐，适用于多种半导体材料的化学机械抛光。
• 系统配置触摸屏控制面板，所有功能参数均可在控制面板上设置。控制面板置于工作区域外部，采用可移动方式，不仅可以调节面板位置间距和角度，还可以前后左右移动控制面板位置。这一设计不仅避免磨抛液溅入到面板上，造成操作系统腐蚀；也适应于不同操作人员使用习惯。
• CMP 抛光过程中通过对抛光状态的分析，最终实现终点检测功能，即使晶圆到达指定的厚度后，抛光盘停止转动，实现对晶圆最终厚度的精准控制，多用于除层平坦化等工艺。
• 终点检测系统/EPD 可以在抛光过程中进行实时监控，而无需在抛光过程中停下进行测量。终点检测系统在处理过程中监控设备主机各主要参数。当设备成功达到期望的终点值时，蜂鸣声就会响起，EPD系统会自动中止平坦化操作。另外，终点检测系统可以用做一个安全装置，一旦所监控的工艺参数被检测到有变化，EPD就会触发警报以防止过抛。
• 在平坦化及除层操作中任何相对于预设工艺参数的偏离都会导致程序中断。控制面板会自动将过程跳到抛光最后一步，将装有晶片/IC 的抛光头从抛光垫上升起，以防止停留在抛光垫上发生任何不必要的损伤。
• CDP400 系列通过自动化参数控制及独特的材料处理多功能性的组合，ACP自动化抛光机提供可重复性在纳米量级的精度，用于当前器件制造的很多材料的处理。由于它的精确性，低成本和易使用性，CDP系列自动化抛光机给 CMP 应用提供了理想的环境。
• 触摸屏程序化的操作面板里可以存储相互独立的材料处理程序。自动化，可重复，集成电路的平坦化和延缓化，多个和单独的模具和晶片，这些都可以通过控制屏设定来实现。
• CDP400 的夹具可用于4 英寸晶片和模具头，一旦晶片被附到抛光头上，压力负载可以轻松的通过触摸屏设定。这样可以保证在晶片表面上抛光的平滑程度，最终实现 CMP 工艺加工。

适用的材料包括：
• 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
• III-V材料（GaAs、InP、GaSb等）
• 第三代半导体材料（SiC、GaN 等）
• 红外材料（CZT、MCT等）
• 光电材料（LiNbO₃、LiTaO₃、SiO₂等）
• 金属材料（Au、Cu、Al、Mo、TC4等）
应用的范围包括:
• MEMS
• 半导体器件
• 半导体衬底
• 封装

项目	参数
电源:	220-240v 10A
环境温度:	20°C ± 5°C
环境湿度:	< 80%
晶圆尺寸:	4”
工作盘直径:	520mm
摆臂驱动转速:	0-90rpm
盘转速:	0-120rpm
定时时间:	0-10小时
进料通道:	≥ 2

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