在半导体芯片、光电功能器件、新能源功率模块等领域的生产链条中，晶圆研磨是基材预处理的重要环节，其加工质量对后续抛光效果与最终器件性能具有影响。面对硅晶圆、化合物半导体晶圆（氮化镓、磷化铟）、光电基材晶圆（铌酸锂、碲锌镉）等不同类型晶圆的差异化特性 — 如硅晶圆需兼顾效率与精度，氮化镓晶圆需应对高硬度加工挑战，碲锌镉晶圆需控制应力损伤 — 北京艾姆希半导体科技有限公司依托多年硬脆材料加工技术积淀，研发系列化晶圆研磨机，通过定制化工艺设计与精准控制技术，为国内企业与科研机构提供低损伤、适配性强、稳定可靠的晶圆研磨解决方案。

     针对不同类型晶圆的加工需求，北京艾姆希晶圆研磨机呈现出多样化适配特性：对于 2-8英寸半导体硅晶圆，采用 “粗磨 - 精磨” 一体化设计，粗磨阶段通过高硬度磨料去除切割损伤层，去除速率为 5-8μm/min 以缩短加工周期，精磨阶段搭载超细粒度磨料（粒径 1-3μm）与分级压力调节系统（0-3.5kg 可调，精度 ±0.05kg），控制表面粗糙度 Ra≤50Å，同时通过位移传感器控制研磨深度以保障批量加工的厚度公差 ±1μm，还支持自动化上下料集成，单台设备每小时可完成 10-15 片 4 英寸硅晶圆的研磨，适配晶圆厂规模化生产需求，且配备工艺参数存储功能以便快速调用不同规格硅晶圆的研磨方案；对于 2-8 英寸氮化镓、磷化铟等化合物半导体晶圆，通过定制化设计应对加工挑战，氮化镓晶圆研磨机采用金刚石砂轮研磨系统（粒径 0.5-1μm），搭配的恒压研磨模式（压力偏差 ±0.05kg），在去除材料的同时控制表面平整度≤5μm 以减少微裂纹产生，满足功率器件对基材表面质量的要求，磷化铟晶圆研磨机则采用柔性研磨头与高纯陶瓷接触部件以减少金属离子污染，通过低速研磨（0-120rpm）与微压力控制（0-3.5kg 可调）实现表面粗糙度 Ra≤30Å，适配红外探测器的加工需求，同时支持根据客户器件应用场景调整磨料类型与研磨参数，如针对 5G 射频用氮化镓晶圆优化表面平整度控制，有助于提升后续器件的信号传输稳定性；对于 2-8 英寸铌酸锂、碲锌镉等光电基材晶圆，通过专项设计保障加工质量，铌酸锂晶圆研磨机搭载微压力调节系统（0-3.5kg 可调）与低速研磨（0-120rpm），控制表面粗糙度 Ra≤100Å、厚度公差 ±2μm 以减少应力残留，适配激光调制器、表面声波滤波器的制造，碲锌镉晶圆研磨机采用密封式工作腔与负压除尘系统以减少粉尘污染，通过专用磨料（粒径 2-5μm）控制亚表面损伤层深度 < 2μm，适配核辐射探测器、医疗影像器件的探测灵敏度要求，还提供异形夹具定制服务，可适配条形、扇形等特殊形态光电基材的研磨，满足光电器件的多样化设计需求。